ir2104原理讲解



• 基础知识
  • NMOS原理
  • 半桥控制原理
• IR2104简介
  • 示例电路
  • 引脚定义
• 电路原理详解
  • 自举升压
  • 死区控制
• 总结
• 链接

引入：IR2104是我上手的第一个半桥栅极驱动芯片，使用两片IR2104就可以搭建一个全桥电路控制电机的正反转。然而由于不懂其中原理，在后续电路设计中出现了许多bug，这篇文章作为一个经验总结，也作为一个新手教程，从MOS管的工作原理深入讲解IR2104电路设计。

IR2104是一颗半桥栅极驱动芯片(控制 构成半桥的MOS管的栅极的芯片)，所以在介绍IR2104之前，我们先了解一下MOS管和半桥是什么。

关于MOS管的介绍，推荐B站工科男孙老师的视频 NMOS的介绍

这时我们将连接高电平的MOS叫上管，连接低电平的MOS叫下管，通过控制上下管的导通，就可以控制高低电平的输出。

看起来这个电路很完美，但需要注意的是，要控制上管导通，需要VHIN > Vout，而在上管导通时，Vout≈Vcc，也就是说，VHIN需要大于Vcc才能使上管导通，如何获取一个大于Vcc的电压是第一个问题。在MOS开关过程中，如何防止短路的发生是第二个问题。

IR2104 是一款高压、高电流、半桥驱动器，用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。内部集成死区控制电路和shutdown功能。

引脚可以分为两类

• 逻辑引脚
  • IN引脚控制栅极驱动引脚HO和LO的输出，且HO电平与IN相同，LO电平与IN相反
  • SD#引脚控制芯片工作与否，“#”表示低电平有效，即SD为低电平时芯片停止工作
• 驱动引脚
  • VB/HO/VS 可看作一组驱动引脚，驱动高端NMOS
  • Vcc/LO/COM 是一组驱动引脚，驱动低端NMOS

还记得开头的两个关键问题吗，来回顾一下

• 第一个问题：如何获取一个大于Vcc的电压
• 第二个问题：如何防止短路的发生

自举，顾名思义就是自己把自己举起来，主要通过一个电容和一个二极管来实现。

这就是自举的含义，将自己的能量先聚集到电容，再将能量叠加，实现电压的升高。

我们来看一下自举电路实际中的工作过程。(注：HO,LO的输出也是由内部mos控制的)

• 当IN输入0时，LO与Vcc导通，下管导通；HO与VS导通，上管截止。同时电流从Vcc经二极管向自举电容充电。
  
  
  
  
• 当IN输入1时，LO与COM导通，下管截止；HO与VB导通，此时自举电容正极相当于连接HO，电容正极电压=Vbat+Vcc，同时二极管防止了电流倒灌回Vcc，上管得以导通。
  
  
  
  

但这并不是一劳永逸的（一次充电，终身导通），自举电容的容值取决于电路的控制频率和NMOS的栅源电容，所以不会很大，且驱动mos时会有些许漏电，所以需要不断的重复上述过程给电容充放电才可以维持mos的导通电压。

下面我们再来做一个实验，取一个IR2104模块，上电后给IN输入高电平，会发现上管输出只能维持一小段时间，需要IN输入低电平后再次给高电平才能恢复上管的导通。

上文的两个英语单词（floating、fixed）在这里可以解释一下了。

• floating 意为浮动，很形象地描述了上管的驱动供电，自举电容就像一条小船，其正极电压跟随Vbat水涨船高，飘忽不定，表示一种不确定性。
• fixed 意为固定，与floating对比就很好理解了，下管的驱动供电是Vcc，固定不变。

死区，顾名思义“死掉的区间”。

为了防止控制过程中上下管MOS同时导通，芯片内部为控制输出信号添加了“死区”，即两个MOS均不导通的区间。

可见无死区时，半桥在切换输出状态时，上下管会同时处于不完全导通状态。这种现象轻则影响输出不稳定、功耗增加，重则导致mos发热甚至短路烧毁。

而加入死区后，半桥在切换输出状态时，会先确保上下管均处于截止状态，之后在进行切换。

结合下图数据表可知，DT的取值在400~650ns之间，这个参数可以作为MOS选型的依据。

MOS管的内电容是指沟道和栅极之间的电容，而外电容则是指沟道和外部环境之间的电容。这两个电容在切换过程中会影响电荷传输速度，从而对死区时间产生影响。一般来说，较大的内外电容会导致更长的死区时间，而较小的内外电容则会缩短死区时间。因此，在设计MOS管电路时，我们应尽量减小内外电容的大小，以减小死区时间。——from百度文库

OK，至此，你已经掌握了IR2104的关键知识点，我们来整理一下

• 首先，IR2104是一颗半桥驱动芯片，而半桥是由两颗NMOS构成的，所以我们先了解了NMOS的导通条件 和 半桥的控制原理。但是控制过程遇到了两个问题，上管导通所需的高电压和控制过程的防短路。
• 之后，在这两个问题的基础上，我们在IR2104上找到了对应对解决方案，自举升压 和 死区控制，明白了使用栅极驱动芯片的原因和必要性。
• 最后，其实这篇文章里还有诸多问题没有深入讲解，如自举电容的容值、限流电阻的阻值以及如何搭建靠谱的电机驱动电路，这些就在下一篇（wait for me）。

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• IR2104数据手册
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